14-GHz GaNAsSb unitraveling-carrier 1.3-μm photodetectors grown by RF plasma-assisted nitrogen molecular beam epitaxy

Kian Huan Tan, Soon F. Yoon, Sascha Fedderwitz, Andreas Stöhr, Wan Khai Loke, Satrio Wicaksono, Tien Khee Ng, Mario Weiß, Artur Poloczek, Vitaly Rymanov, Ardhendu Patra, Eduward Tangdiongga, Dieter Jäger

Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

6 Citaten (Scopus)

Samenvatting

We report on picosecond pulsed response and 3-dB cutoff frequency of 1.3-μm GaNAsSb unitraveling-carrier photodetectors (PDs) grown by molecular beam epitaxy using a radiofrequency plasma-assisted nitrogen source. The 0.1-μm-thick GaNAsSb photoabsorption layer contains 3.5% of N and 9% of Sb, resulting in a bandgap of 0.88 eV. The dark current densities at 0 and .9 V are 6 and 34 mA/cm2, respectively. The GaNAsSb UTC PDs exhibit a temporal response width of 46 ps and a record 3-dB cutoff frequency of 14 GHz at -9 V.

Originele taal-2Engels
Pagina's (van-tot)590-592
Aantal pagina's3
TijdschriftIEEE Electron Device Letters
Volume30
Nummer van het tijdschrift6
DOI's
StatusGepubliceerd - 30 apr 2009

Vingerafdruk

Duik in de onderzoeksthema's van '14-GHz GaNAsSb unitraveling-carrier 1.3-μm photodetectors grown by RF plasma-assisted nitrogen molecular beam epitaxy'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

Citeer dit