1.3-μm GaNAsSb-GaAs UTC-photodetectors for 10-gigabit ethernet links

S. Fedderwitz, A. Stöhr, K.H. Tan, S.F. Yoon, M. Weiss, A. Poloczek, W.K. Loke, S. Wicaksono, T.K. Ng, V. Rymanov, A. Patra, E. Tangdiongga, D. Jaeger

Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

2 Citaten (Scopus)

Samenvatting

We report on 10-Gigabit Ethernet (IEEE 802.3ae) fiber-optic transmission at 1.3- m wavelengh utilizing high-speed GaNAsSb uni-travelling-carrier photodetectors (PDs) grown on GaAs substrate.With an optical bandgap of 0.88 eV, the PDs are suitable for near-infrared operation up to wavelengths of about 1380 nm. The dc responsivity and 3-dB cut-off frequency of the non-antireflection-coated PD at 1.3- µm wavelength are 0.35 A/W and 14 GHz, respectively. Using this GaAs-based GaNAsSb PD, an error-free (bit-error rate = 10sup12 transmission of 10-Gb Ethernet data at 1.3- µm wavelength is successfully demonstrated.
Originele taal-2Engels
Pagina's (van-tot)911-913
Aantal pagina's3
TijdschriftIEEE Photonics Technology Letters
Volume21
Nummer van het tijdschrift13
DOI's
StatusGepubliceerd - 2009

Vingerafdruk

Duik in de onderzoeksthema's van '1.3-μm GaNAsSb-GaAs UTC-photodetectors for 10-gigabit ethernet links'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

Citeer dit