10-GHz all-optical gate based on a III-V/SOI microdisk

R. Kumar, L. Liu, G. Roelkens, E.J. Geluk, T. Vries, de, F. Karouta, P. Regreny, D. Thourhout, Van, R.G.F. Baets, G. Morthier

Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

16 Citaten (Scopus)
48 Downloads (Pure)

Samenvatting

We demonstrate an ultra-fast and low power all-optical gate in pump-probe configuration based on free carrier induced refractive index modulation in a 5µm radius InP/InGaAsP microdisk heterogeneously integrated onto a silicon-on-insulator waveguide circuit. High speed gating is obtained by extracting the carriers from the microdisk active layer by applying a reverse bias. Measured transient responses show that this gate is capable of working up to 20 GHz.
Originele taal-2Engels
Pagina's (van-tot)981-983
Aantal pagina's3
TijdschriftIEEE Photonics Technology Letters
Volume22
Nummer van het tijdschrift13
DOI's
StatusGepubliceerd - 2010

Vingerafdruk

Duik in de onderzoeksthema's van '10-GHz all-optical gate based on a III-V/SOI microdisk'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

Citeer dit