-1 V bias 67GHz bandwidth Si-contacted germanium waveguide p-i-n photodetector for optical links at 56 Gbps and beyond

H. Chen, P. Verheyen, P. de Heyn, G. Lepage, J. de Coster, W. Yao, L. Shen, G.C. Roelkens, J. van Campenhout

Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

115 Citaten (Scopus)
335 Downloads (Pure)

Samenvatting

We demonstrate a 67 GHz bandwidth silicon-contacted germanium waveguide p-i-n photodetector operating at −1 V with 6.8 fF capacitance. The dark current is below 4 nA. The responsivity is 0.74 A/W at 1550 nm and 0.93 A/W at 1310 nm wavelength. 56 Gbps on-off-keying data reception is demonstrated with clear open eye diagrams in both the C-band and O-band.
Originele taal-2Engels
Pagina's (van-tot)4622-4631
TijdschriftOptics Express
Volume24
Nummer van het tijdschrift5
DOI's
StatusGepubliceerd - 24 feb 2016

Vingerafdruk Duik in de onderzoeksthema's van '-1 V bias 67GHz bandwidth Si-contacted germanium waveguide p-i-n photodetector for optical links at 56 Gbps and beyond'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

Citeer dit