Als u wijzigingen in Pure hebt gemaakt, zullen deze hier binnenkort zichtbaar zijn.

Onderzoeksoutput 2015 2020

  • 120 Citaten
  • 12 Tijdschriftartikel
  • 1 Conferentiebijdrage
  • 1 Dissertatie 1 (Onderzoek TU/e / Promotie TU/e)
Filter
Tijdschriftartikel
2020
1 Citaat (Scopus)

Effect of an electric field during the deposition of silicon dioxide thin films by plasma enhanced atomic layer deposition: an experimental and computational study

Beladiya, V., Becker, M., Faraz, T., Kessels, W. M. M., Schenk, P., Otto, F., Fritz, T., Gruenewald, M., Helbing, C., Jandt, K. D., Tünnermann, A., Sierka, M. & Szeghalmi, A., 21 jan 2020, In : Nanoscale. 12, 3, blz. 2089-2102 14 blz.

Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

Atomic layer deposition
Silicon Dioxide
Silica
Electric fields
Plasmas
4 Downloads (Pure)

Probing the origin and suppression of vertically oriented nanostructures of 2D WS2 layers

Balasubramanyam, S., Bloodgood, M., van Ommeren, M., Faraz, T., Vandalon, V., Kessels, W. M. M. E., Verheijen, M. A. & Bol, A. A., 22 jan 2020, In : ACS Applied Materials & Interfaces. 12, 3, blz. 3873-3885 13 blz.

Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

Open Access
Bestand
Nanostructures
Plasmas
Atomic layer deposition
Transition metals
Nanoelectronics
2019
10 Citaties (Scopus)
3 Downloads (Pure)

Energetic Ions during plasma-enhanced atomic layer deposition and their role in tailoring material properties

Faraz, T., Arts, K., Karwal, S., Knoops, H. C. M. & Kessels, W. M. M., 28 feb 2019, In : Plasma Sources Science and Technology. 28, 2, 19 blz., 024002.

Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

atomic layer epitaxy
ions
energy
dosage
energy distribution
44 Downloads (Pure)

Ion energy control during plasma-enhanced atomic layer deposition: enabling materials control and selective processing in the third dimension

Faraz, T., Knoops, H. & Kessels, E., 11 apr 2019, In : Nevac Blad. 57, 1, blz. 6-10 5 blz.

Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelPopulair

Open Access
Bestand
plasma control
atomic layer epitaxy
ions
energy
versatility
11 Citaties (Scopus)
138 Downloads (Pure)

Status and prospects of plasma-assisted atomic layer deposition

Knoops, H., Faraz, T., Arts, K. & Kessels, E., 1 mei 2019, In : Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 37, 3, 26 blz., 030902.

Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

Open Access
Bestand
Atomic layer deposition
atomic layer epitaxy
Plasmas
Plasma deposition
emerging
2018
8 Citaties (Scopus)
7 Downloads (Pure)
Atomic layer deposition
Plasmas
Substrates
Grain boundaries
Scattering
8 Citaties (Scopus)
7 Downloads (Pure)

Low resistivity HfN: X grown by plasma-assisted ALD with external rf substrate biasing

Karwal, S., Verheijen, M. A., Williams, B. L., Faraz, T., Kessels, W. M. M. & Creatore, M., 12 mrt 2018, In : Journal of Materials Chemistry C. 6, 15, blz. 3917-3926 10 blz.

Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

Atomic layer deposition
Plasmas
Substrates
Grain boundaries
Scattering
19 Citaties (Scopus)
79 Downloads (Pure)
Atomic layer deposition
Nitrides
Oxides
Topography
Materials properties
19 Citaties (Scopus)
79 Downloads (Pure)

Tuning material properties of oxides and nitrides by substrate biasing during plasma-enhanced atomic layer deposition on planar and 3D substrate topographies

Faraz, T., Knoops, H. C. M., Verheijen, M. A., Van Helvoirt, C. A. A., Karwal, S., Sharma, A., Beladiya, V., Szeghalmi, A., Hausmann, D. M., Henri, J., Creatore, M. & Kessels, W. M. M., 18 apr 2018, In : ACS Applied Materials & Interfaces. 10, 15, blz. 13158-13180 23 blz.

Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

Open Access
Bestand
Atomic layer deposition
Nitrides
Oxides
Topography
Materials properties
2017
19 Citaties (Scopus)
7 Downloads (Pure)

Atomic layer deposition of wet-etch resistant silicon nitride using di(sec-butylamino) silane and N2 plasma on planar and 3D substrate topographies

Faraz, T., van Drunen, M., Knoops, H. C. M., Mallikarjunan, A., Buchanan, I., Hausmann, D. M., Henri, J. & Kessels, W. M. M., 2017, In : ACS Applied Materials & Interfaces. 9, 2, blz. 1858-1869 12 blz.

Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

Silanes
Atomic layer deposition
Silicon nitride
Topography
Plasmas
2016
3 Citaties (Scopus)
7 Downloads (Pure)

Nucleation of microcrystalline silicon : on the effect of the substrate surface nature and nano-imprint topography

Palmans, J., Faraz, T., Verheijen, M., Kessels, E. & Creatore, A., 7 jan 2016, In : Journal of Physics D: Applied Physics. 49, 5, 11 blz., 055205.

Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

2015
49 Citaties (Scopus)
387 Downloads (Pure)

Atomic layer etching : what can we learn from atomic layer deposition?

Faraz, T., Roozeboom, F., Knoops, H. C. M. & Kessels, W. M. M., 2015, In : ECS Journal of Solid State Science and Technology. 4, 6, blz. NS-023/032

Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

Open Access
Bestand
Atomic layer deposition
Etching
Dry etching
Semiconductor devices
Processing