Tahsin Faraz

Dr., dr.

Onderzoeker, Department of Applied Physics, Plasma & Materials Processing

https://orcid.org/0000-0001-8497-861X

E-mailt.faraz@tue.nl

Bron: Scopus

Onderzoeksresultaten per jaar

Als u wijzigingen in Pure hebt gemaakt, zullen deze hier binnenkort zichtbaar zijn.

Vingerafdruk

Verdiep u in de onderzoeksgebieden waarop Tahsin Faraz actief is. Deze onderwerplabels komen uit het werk van deze persoon. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

13 Soortgelijke profielen

Netwerk

Recente externe samenwerking op landenniveau. Duik in de details door op de stippen te klikken.

233 Citaties
16 Tijdschriftartikel
1 Rapport
1 Conferentiebijdrage
1 Dissertatie 1 (Onderzoek TU/e / Promotie TU/e)

Area-Selective Atomic Layer Deposition of TiN Using Aromatic Inhibitor Molecules for Metal/Dielectric Selectivity
Merkx, M. J. M., Vlaanderen, S., Faraz, T., Verheijen, M. A., Kessels, W. M. M. & MacKus, A. J. M., 22 sep 2020, In : Chemistry of Materials. 32, 18, blz. 7788-7795 8 blz.
Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschrift › Tijdschriftartikel › Academic › peer review

Open Access
2 Citaten (Scopus)
Effect of an electric field during the deposition of silicon dioxide thin films by plasma enhanced atomic layer deposition: an experimental and computational study
Beladiya, V., Becker, M., Faraz, T., Kessels, W. M. M., Schenk, P., Otto, F., Fritz, T., Gruenewald, M., Helbing, C., Jandt, K. D., Tünnermann, A., Sierka, M. & Szeghalmi, A., 21 jan 2020, In : Nanoscale. 12, 3, blz. 2089-2102 14 blz.
Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschrift › Tijdschriftartikel › Academic › peer review
6 Citaten (Scopus)

1 Downloads (Pure)
Etching with atomic-level precision: The emerging field of atomic layer etching
Mackus, A. J. M., Faraz, T. & Chittock, N., 2 jun 2020, In : Nevac Blad. 58, special on ALD, blz. 40-42 2.
Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschrift › Tijdschriftartikel › Populair
6 Downloads (Pure)
Evidence for low-energy ions influencing plasma-assisted atomic layer deposition of SiO2: Impact on the growth per cycle and wet etch rate
Arts, K., Deijkers, J. H., Faraz, T., Puurunen, R. L., Kessels, W. M. M. & Knoops, H. C. M., 20 jul 2020, In : Applied Physics Letters. 117, 3, 5 blz., 031602.
Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschrift › Tijdschriftartikel › Academic › peer review
Evidence for low-energy ions influencing plasma-assisted atomic layer deposition of SiO2 as measured with Impedans' Quantum System: Application note [QC03]
Arts, K., Deijkers, J. H., Faraz, T., Puurunen, R. L., Kessels, W. M. M. & Knoops, H. C. M., aug 2020, Impedans Plasma Measurement. 2 blz.
Onderzoeksoutput: Boek/rapport › Rapport › Academic

Open Access
Bestand

18 Downloads (Pure)

John Coburn & Harold Winters Award
Faraz, Tahsin (Ontvanger), 24 okt 2018
Prijs: Anders › Werk, activiteit of publicatie gerelateerde prijzen (lifetime, best paper, poster etc.) › Wetenschappelijk
NEVAC Prize
Faraz, Tahsin (Ontvanger), 17 mei 2019
Prijs: Anders › Werk, activiteit of publicatie gerelateerde prijzen (lifetime, best paper, poster etc.) › Wetenschappelijk

Nucleation of muc-Si:H thin films on nano-imprint lithography textured substrates
Auteur: Faraz, T., 31 aug 2014
Begeleider: Palmans, J. (Afstudeerdocent 1) & Creatore, M. (Afstudeerdocent 2)
Scriptie/Masterproef: Master