• Groene Loper 19, Flux

    5612 AZ Eindhoven

    Nederland

  • P.O. Box 513, Department of Applied Physics

    5600 MB Eindhoven

    Nederland

Organisatieprofiel

Over de organisatie

Individual semiconductor nanostructures and single impurities are offering interesting options to achieve and explore the ultimate limits in device miniaturization. Therefore we study the formation and electro-optic properties of individual semiconductor nano objects such as quantum dots, quantum rings and single impurities. To this end scanning probe techniques and atom probe tomography are used to determine the true 3D structure of various semiconductor nanostructures. By this we aim to understand and control their formation during growth and to link their structure to the electro-optic properties that we determine for instance by confocal microscopy. Scanning probe microscopy is furthermore used to explore and manipulate single (magnetic) impurities in a semiconductor material. This work has allowed for a deep understanding of quantum mechanical aspects that determine the properties of a whole range of impurities and defects in semiconductors.

Vingerafdruk Verdiep u in de onderzoeksgebieden waarop Semiconductor Nanostructures and Impurities actief is. Deze onderwerplabels komen uit het werk van de leden van deze organisatie. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

  • Netwerk Recente externe samenwerking op landenniveau. Duik in de details door op de stippen te klikken.

    Onderzoeksoutput

    Hard superconducting gap and diffusion-induced superconductors in Ge-Si nanowires

    Ridderbos, J., Brauns, M., de Vries, F. K., Shen, J., Li, A., Kölling, S., Verheijen, M. A., Brinkman, A., van der Wiel, W. G., Bakkers, E. P. A. M. & Zwanenburg, F. A., 8 jan 2020, In : Nano Letters. 20, 1, blz. 122-130 9 blz.

    Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

    Open Access
    Bestand
  • 1 Citaat (Scopus)
    12 Downloads (Pure)

    Kinetic control of morphology and composition in Ge/GeSn core/shell nanowires

    Assali, S., Bergamaschini, R., Scalise, E., Verheijen, M. A., Albani, M., Dijkstra, A., Li, A., Koelling, S., Bakkers, E. P. A. M., Montalenti, F. & Miglio, L., 25 feb 2020, In : ACS Nano. 14, 2, blz. 2445-2455 11 blz.

    Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

  • 1 Citaat (Scopus)
    1 Downloads (Pure)

    Probing the local electronic structure of isovalent Bi atoms in InP

    Krammel, C. M., Da Cruz, A. R., Flatté, M. E., Roy, M., Maksym, P. A., Zhang, L. Y., Wang, K., Li, Y. Y., Wang, S. M. & Koenraad, P. M., 31 jan 2020, In : Physical Review B. 101, 2, 024113.

    Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

    Open Access
    Bestand
  • 6 Downloads (Pure)

    Knipsels

    Scripties/Masterproeven

    (In,Ga)N heterostructures in self-assembled GaN nanowires grown on TiN by molecular beam epitaxy

    Auteur: Goertz, J. J., 2016

    Begeleider: Koenraad, P. M. (Afstudeerdocent 1), Geelhaar, L. (Externe persoon) (Externe coach), Bakkers, E. P. (Afstudeerdocent 2), Nijdam, S. (Afstudeerdocent 2) & Zijlstra, P. (Afstudeerdocent 2)

    Scriptie/masterproef: Master

    Bestand

    Hydrogen passivation of N:GaAs studied using cross-sectional scanning tunneling microscopy

    Auteur: Tjeertes, D., 2019

    Begeleider: Krammel, C. M. (Afstudeerdocent 1) & Koenraad, P. M. (Afstudeerdocent 2)

    Scriptie/masterproef: Master

    Bestand

    Improving low-voltage integrated power devices: a simulation and experimental based study

    Auteur: Toonen, J., 2019

    Begeleider: Koenraad, P. M. (Afstudeerdocent 1), Mels, A. (Externe coach) & Huizing, H. (Externe persoon) (Externe coach)

    Scriptie/masterproef: Master

    Bestand