Werkwijze en inrichting voor het deponeren van een althans ten dele kristallijne siliciumlaag op een substraat.

E.A.G. Hamers (Inventor), A.H.M. Smets (Inventor), M.C.M. Sanden, van de (Inventor), D.C. Schram (Inventor)

Research output: Patent › Patent publication

Abstract

No abstract

@misc{beb8cf61534444079ad83e661f602c6b,

title = "Werkwijze en inrichting voor het deponeren van een althans ten dele kristallijne siliciumlaag op een substraat.",

abstract = "No abstract",

author = "E.A.G. Hamers and A.H.M. Smets and {Sanden, van de}, M.C.M. and D.C. Schram",

year = "2002",

month = oct,

day = "30",

language = "English",

type = "Patent",

note = "NL1017849",

}

TY - PAT

T1 - Werkwijze en inrichting voor het deponeren van een althans ten dele kristallijne siliciumlaag op een substraat.

AU - Hamers, E.A.G.

AU - Smets, A.H.M.

AU - Sanden, van de, M.C.M.

AU - Schram, D.C.

PY - 2002/10/30

Y1 - 2002/10/30

N2 - No abstract

AB - No abstract

UR - http://nl.espacenet.com/publicationDetails/originalDocument?CC=NL&NR=1017849C2&KC=C2&FT=D&date=20021030&DB=nl.espacenet.com&locale=nl_NL

M3 - Patent publication

M1 - NL1017849

ER -