Abstract
Plasma-etsen is al een tiental jaren één van de belangrijkste processtappen bij de pro
duktie van IC’s. De fysica van dit proces is ten gevolge van de complexiteit van het
plasma echter nog nauwelijks begrepen. Door het etsproces op een goed gedefinieerde
manier na te bootsen in een moleculaire bundel opstelling, kan de invloed van de
afzonderlijke parameters op het etsproces bestudeerd worden. De eerste experimenten
zijn gedaan op het gebied van spontaan en iongeassisteerd etsen van silicium.
| Original language | English |
|---|---|
| Pages (from-to) | 51-54 |
| Number of pages | 1 |
| Journal | Nederlands Tijdschrift voor Natuurkunde |
| Volume | 61 |
| Issue number | 3 |
| Publication status | Published - 1995 |