Atoomlaagdepositie voor het verbeteren van het rendement van silicium zonnecellen

J.A. van Delft; G. Dingemans; W.M.M. Kessels

Atoomlaagdepositie voor het verbeteren van het rendement van silicium zonnecellen

J.A. van Delft
, G. Dingemans
, W.M.M. Kessels

Research output: Contribution to journal › Article › Professional

19 Downloads (Pure)

Abstract

Toepassing van Al2O3 aangebracht met atoomlaagdepositie leidt tot uitmuntende oppervlaktepassivatie van c-Si. Zo verbeterde het rendement van een n-type zonnecel met 1% absoluut na toepassing van een ultradun Al2O3 laagje op de p-type emitter.

Original language	Dutch
Pages (from-to)	6-9
Journal	Nevac Blad
Volume	48
Issue number	2
Publication status	Published - 2010

Access to Document

publishers versionFinal published version, 593 KB

Cite this

@article{34547f5247274f20b1369b192fceec55,

title = "Atoomlaagdepositie voor het verbeteren van het rendement van silicium zonnecellen",

abstract = "Toepassing van Al2O3 aangebracht met atoomlaagdepositie leidt tot uitmuntende oppervlaktepassivatie van c-Si. Zo verbeterde het rendement van een n-type zonnecel met 1\% absoluut na toepassing van een ultradun Al2O3 laagje op de p-type emitter.",

author = "\{van Delft\}, J.A. and G. Dingemans and W.M.M. Kessels",

year = "2010",

language = "Nederlands",

volume = "48",

pages = "6--9",

journal = "Nevac Blad",

issn = "0169-9431",

number = "2",

}

TY - JOUR

T1 - Atoomlaagdepositie voor het verbeteren van het rendement van silicium zonnecellen

AU - van Delft, J.A.

AU - Dingemans, G.

AU - Kessels, W.M.M.

PY - 2010

Y1 - 2010

N2 - Toepassing van Al2O3 aangebracht met atoomlaagdepositie leidt tot uitmuntende oppervlaktepassivatie van c-Si. Zo verbeterde het rendement van een n-type zonnecel met 1% absoluut na toepassing van een ultradun Al2O3 laagje op de p-type emitter.

AB - Toepassing van Al2O3 aangebracht met atoomlaagdepositie leidt tot uitmuntende oppervlaktepassivatie van c-Si. Zo verbeterde het rendement van een n-type zonnecel met 1% absoluut na toepassing van een ultradun Al2O3 laagje op de p-type emitter.

M3 - Tijdschriftartikel

SN - 0169-9431

VL - 48

SP - 6

EP - 9

JO - Nevac Blad

JF - Nevac Blad

IS - 2

ER -