Abstract
Toepassing van Al2O3 aangebracht met atoomlaagdepositie leidt tot uitmuntende oppervlaktepassivatie van c-Si. Zo verbeterde het rendement van een n-type zonnecel met 1% absoluut na toepassing van een ultradun Al2O3 laagje op de p-type emitter.
Original language | Dutch |
---|---|
Pages (from-to) | 6-9 |
Journal | Nevac Blad |
Volume | 48 |
Issue number | 2 |
Publication status | Published - 2010 |