Atoomlaagdepositie voor het verbeteren van het rendement van silicium zonnecellen

J.A. van Delft, G. Dingemans, W.M.M. Kessels

Research output: Contribution to journalArticleProfessional

1 Downloads (Pure)

Abstract

Toepassing van Al2O3 aangebracht met atoomlaagdepositie leidt tot uitmuntende oppervlaktepassivatie van c-Si. Zo verbeterde het rendement van een n-type zonnecel met 1% absoluut na toepassing van een ultradun Al2O3 laagje op de p-type emitter.
Original languageDutch
Pages (from-to)6-9
JournalNevac Blad
Volume48
Issue number2
Publication statusPublished - 2010

Cite this